DMP210DUFB4-7
DMP210DUFB4-7
Modello di prodotti:
DMP210DUFB4-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17483 Pieces
Scheda dati:
DMP210DUFB4-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:X2-DFN1006-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):350mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-XFDFN
Altri nomi:DMP210DUFB4-7DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:DMP210DUFB4-7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:175pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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