DMP3010LPSQ-13
DMP3010LPSQ-13
Modello di prodotti:
DMP3010LPSQ-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 36A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12410 Pieces
Scheda dati:
DMP3010LPSQ-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerDI5060-8
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:7.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.18W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:DMP3010LPSQ-13DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:DMP3010LPSQ-13
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6234pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:126.2nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 36A (Ta) 2.18W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 36A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:36A (Ta)
Email:[email protected]

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