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DMT10H010LPS-13
- Modello di prodotti:
- DMT10H010LPS-13
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 9.4A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14337 Pieces
- Scheda dati:
- DMT10H010LPS-13.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerDI5060-8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 13A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.2W (Ta), 139W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | DMT10H010LPS-13DITR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | DMT10H010LPS-13 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3000pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 71nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 9.4A (Ta), 98A (Tc) 1.2W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 9.4A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.4A (Ta), 98A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per DMT10H010LPS-13
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DMT10H010LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SO-8 | Inchiesta |
 |
DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3 | Inchiesta |
|
DMT10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TO220AB | Inchiesta |
|
DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Inchiesta |
|
DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | Inchiesta |
 |
DMT10H015LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | Inchiesta |
|
DMT10H015LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 8.3A | Inchiesta |
|
DMT10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO252 T&R | Inchiesta |
|
DMT10H014LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO | Inchiesta |
|
DMT10H015LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 10A | Inchiesta |
 |
DMT10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 7.3A | Inchiesta |
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