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DMT3009LDT-7
- Modello di prodotti:
- DMT3009LDT-7
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19658 Pieces
- Scheda dati:
- DMT3009LDT-7.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per DMT3009LDT-7, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per DMT3009LDT-7 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | V-DFN3030-8 (Type K) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11.1 mOhm @ 14.4A, 10V |
| Potenza - Max: | 1.2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-VDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | DMT3009LDT-7-ND DMT3009LDT-7DITR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | DMT3009LDT-7 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1500pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 15V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 30A 1.2W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A |
| Email: | [email protected] |
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