DMTH6016LSDQ-13
DMTH6016LSDQ-13
Modello di prodotti:
DMTH6016LSDQ-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET ARRAY N-CH 60V 7.6A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16402 Pieces
Scheda dati:
DMTH6016LSDQ-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:19.5 mOhm @ 10A, 10V
Potenza - Max:1.4W, 1.9W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:DMTH6016LSDQ-13DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:DMTH6016LSDQ-13
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:864pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7.6A (Ta) 1.4W, 1.9W Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET ARRAY N-CH 60V 7.6A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.6A (Ta)
Email:[email protected]

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