Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > DSI30-12AS
DSI30-12AS
DSI30-12AS
Modello di prodotti:
DSI30-12AS
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15436 Pieces
Scheda dati:
DSI30-12AS.pdf
Inchiesta

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per DSI30-12AS, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per DSI30-12AS via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare DSI30-12AS con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.29V @ 30A
Tensione - inversa (Vr) (max):1200V (1.2kV)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263AB (D²PAK)
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:DSI30-12ASTR
DSI3012AS
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-40°C ~ 175°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:DSI30-12AS
Descrizione espansione:Diode Standard 1200V (1.2kV) 30A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263
Corrente - Dispersione inversa a Vr:40µA @ 1200V
Corrente - raddrizzata media (Io):30A
Capacità a Vr, F:10pF @ 400V, 1MHz
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per DSI30-12AS

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
CD1408-F1800 Image CD1408-F1800 Bourns Inc. DIODE GEN PURP 800V 1A 1408 Inchiesta
GP10DHM3/73 Image GP10DHM3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL Inchiesta
DSI30-16AS Image DSI30-16AS IXYS DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 Inchiesta
JANTX1N3612 Image JANTX1N3612 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Inchiesta
DSI30-16A Image DSI30-16A IXYS DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO220AC Inchiesta
DSI30-12AC IXYS DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS220 Inchiesta
SURA8130T3G Image SURA8130T3G ON Semiconductor DIODE GEN PURP 300V 1A SMA Inchiesta
GP10F-E3/54 Image GP10F-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 300V 1A DO204AL Inchiesta
MR754RL Image MR754RL ON Semiconductor DIODE GP 400V 6A MICRODE BUTTON Inchiesta
DSI30-08AS-TUB Image DSI30-08AS-TUB IXYS DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 Inchiesta
JANTX1N3595A-1 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 Inchiesta
1N4933 Image 1N4933 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 Inchiesta
DSI30-08AC IXYS DIODE GEN 800V 30A ISOPLUS220 Inchiesta
DSI30-16AS-TUBE Image DSI30-16AS-TUBE IXYS DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 Inchiesta
DSI30-12AS-TUB Image DSI30-12AS-TUB IXYS DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263 Inchiesta
MPG06D-E3/100 Image MPG06D-E3/100 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06 Inchiesta
DSI30-12A Image DSI30-12A IXYS DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC Inchiesta
DSI30-08A Image DSI30-08A IXYS DIODE GEN PURP 800V 30A TO220AC Inchiesta
DSI30-16AS-TUB Image DSI30-16AS-TUB IXYS DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263 Inchiesta
DSI30-08AS Image DSI30-08AS IXYS DIODE GEN PURP 800V 30A TO263 Inchiesta

Latest Notizie