DTA143EUAT106
DTA143EUAT106
Modello di prodotti:
DTA143EUAT106
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14972 Pieces
Scheda dati:
DTA143EUAT106.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:UMT3
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):4.7k
Resistenza - Base (R1) (ohm):4.7k
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-70, SOT-323
Altri nomi:DTA143EUAT106-ND
DTA143EUAT106TR
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:DTA143EUAT106
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
Descrizione:TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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