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DTC115GUAT106
- Modello di prodotti:
- DTC115GUAT106
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16853 Pieces
- Scheda dati:
- DTC115GUAT106.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | UMT3 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 100k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | - |
| Potenza - Max: | 200mW |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | SC-70, SOT-323 |
| Altri nomi: | DTC115GUAT106DKR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | DTC115GUAT106 |
| Frequenza - transizione: | 250MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3 |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 82 @ 5mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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