DTC123JSATP
DTC123JSATP
Modello di prodotti:
DTC123JSATP
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13518 Pieces
Scheda dati:
DTC123JSATP.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SPT
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):47k
Resistenza - Base (R1) (ohm):2.2k
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro:SC-72 Formed Leads
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:DTC123JSATP
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
Descrizione:TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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