DTC363EKT146
DTC363EKT146
Modello di prodotti:
DTC363EKT146
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18560 Pieces
Scheda dati:
DTC363EKT146.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:80mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:SMT3
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):6.8k
Resistenza - Base (R1) (ohm):6.8k
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:DTC363EKT146
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3
Descrizione:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:70 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):600mA
Email:[email protected]

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