EFC4619R-TR
Modello di prodotti:
EFC4619R-TR
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH EFCP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18308 Pieces
Scheda dati:
EFC4619R-TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Contenitore dispositivo fornitore:4-EFCP (1.61x1.61)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:-
Potenza - Max:1.6W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:4-XFBGA
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:EFC4619R-TR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:21.7nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1.6W Surface Mount 4-EFCP (1.61x1.61)
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:MOSFET 2N-CH EFCP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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