EM6M1T2R
EM6M1T2R
Modello di prodotti:
EM6M1T2R
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19588 Pieces
Scheda dati:
EM6M1T2R.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Contenitore dispositivo fornitore:EMT6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:8 Ohm @ 10mA, 4V
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:EM6M1T2RTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:EM6M1T2R
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13pF @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.9nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 100mA, 200mA 150mW Surface Mount EMT6
Tensione drain-source (Vdss):30V, 20V
Descrizione:MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100mA, 200mA
Email:[email protected]

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