EMD29T2R
EMD29T2R
Modello di prodotti:
EMD29T2R
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12030 Pieces
Scheda dati:
EMD29T2R.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V, 12V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:EMT6
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):10k
Resistenza - Base (R1) (ohm):1k, 10k
Potenza - Max:120mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:EMD29T2R-ND
EMD29T2RTR
Q3614586
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:EMD29T2R
Frequenza - transizione:250MHz, 260MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 120mW Surface Mount EMT6
Descrizione:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA, 500mA
Email:[email protected]

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