EMD2T2R
EMD2T2R
Modello di prodotti:
EMD2T2R
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18561 Pieces
Scheda dati:
EMD2T2R.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:EMT6
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):22k
Resistenza - Base (R1) (ohm):22k
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:EMD2T2R-ND
EMD2T2RTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:EMD2T2R
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Descrizione:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:56 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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