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EMF8T2R
- Modello di prodotti:
- EMF8T2R
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18682 Pieces
- Scheda dati:
- EMF8T2R.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V, 12V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Tipo transistor: | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | EMT6 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 47k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 47k |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | EMF8T2R |
| Frequenza - transizione: | 250MHz, 320MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Descrizione: | TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per EMF8T2R
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NP062AN00A | Panasonic Electronic Components | TRANS 2NPN PREBIAS SSSMINI6 | Inchiesta |
 |
XN0121500L | Panasonic Electronic Components | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5 | Inchiesta |
 |
NSVUMC2NT1G | ON Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70 | Inchiesta |
 |
RN1901FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Inchiesta |
 |
UP04311G0L | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6 | Inchiesta |
 |
MUN5136DW1T1 | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | Inchiesta |
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