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ES07B-GS18
- Modello di prodotti:
- ES07B-GS18
- fabbricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15775 Pieces
- Scheda dati:
- ES07B-GS18.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per ES07B-GS18, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per ES07B-GS18 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 980mV @ 1A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 100V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DO-219AB (SMF) |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 25ns |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DO-219AB |
| Altri nomi: | ES07B-GS18TR ES07BGS18 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | ES07B-GS18 |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 100V 1.2A Surface Mount DO-219AB (SMF) |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 10µA @ 100V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 1.2A |
| Capacità a Vr, F: | 4pF @ 4V, 50MHz |
| Email: | [email protected] |
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