Acquistare FC8V33030L con BYCHPS
Acquista con garanzia
FC8V33030L
- Modello di prodotti:
- FC8V33030L
- fabbricante:
- Panasonic
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 33V 6.5A WMINI8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14009 Pieces
- Scheda dati:
- FC8V33030L.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FC8V33030L, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FC8V33030L via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 480µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | WMini8-F1 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 20 mOhm @ 3.3A, 10V |
| Potenza - Max: | 1W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FC8V33030L |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 33V 6.5A 1W Surface Mount WMini8-F1 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 33V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 33V 6.5A WMINI8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.5A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per FC8V33030L
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DMHC4035LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC | Inchiesta |
 |
SSM6N15AFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C | Inchiesta |
 |
SSM6P35FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6 | Inchiesta |
 |
APTC60HM35T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3 | Inchiesta |
 |
SH8J31GZETB | Rohm Semiconductor | 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET | Inchiesta |
 |
SI5902BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | Inchiesta |
|
DMC4028SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC | Inchiesta |
|
DI9956T | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
NTHC5513T1 | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET | Inchiesta |
 |
ALD110908PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers