FCB20N60F_F085
FCB20N60F_F085
Modello di prodotti:
FCB20N60F_F085
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
20141 Pieces
Scheda dati:
FCB20N60F_F085.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:Automotive, AEC-Q101, SuperFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:195 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):405W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:FCB20N60F_F085DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:FCB20N60F_F085
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2035pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:102nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 20A (Tc) 405W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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