FCMT199N60
FCMT199N60
Modello di prodotti:
FCMT199N60
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19403 Pieces
Scheda dati:
FCMT199N60.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:Power88
Serie:SuperFET® II
Rds On (max) a Id, Vgs:199 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):208W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:4-PowerTSFN
Altri nomi:FCMT199N60TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:38 Weeks
codice articolo del costruttore:FCMT199N60
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2950pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:74nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount Power88
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20.2A (Tc)
Email:[email protected]

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