FCPF190N60E
FCPF190N60E
Modello di prodotti:
FCPF190N60E
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18422 Pieces
Scheda dati:
FCPF190N60E.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220F-3
Serie:SuperFET® II
Rds On (max) a Id, Vgs:190 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):39W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FCPF190N60E
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3175pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:82nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 20.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20.6A (Tc)
Email:[email protected]

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