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FDA18N50
- Modello di prodotti:
- FDA18N50
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16017 Pieces
- Scheda dati:
- FDA18N50.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FDA18N50, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FDA18N50 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3PN |
| Serie: | UniFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 265 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 239W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FDA18N50 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2860pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 500V 19A (Tc) 239W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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