FDA50N50
FDA50N50
Modello di prodotti:
FDA50N50
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14512 Pieces
Scheda dati:
FDA50N50.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3PN
Serie:UniFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:105 mOhm @ 24A, 10V
Dissipazione di potenza (max):625W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:FDA50N50
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6460pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:137nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 48A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-3PN
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:48A (Tc)
Email:[email protected]

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