FDB6021P
FDB6021P
Modello di prodotti:
FDB6021P
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18324 Pieces
Scheda dati:
FDB6021P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:30 mOhm @ 14A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):37W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDB6021P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1890pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 28A (Ta) 37W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:28A (Ta)
Email:[email protected]

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