FDC2612_F095
FDC2612_F095
Modello di prodotti:
FDC2612_F095
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16201 Pieces
Scheda dati:
FDC2612_F095.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SuperSOT™-6
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:725 mOhm @ 1.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDC2612_F095
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:234pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 1.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.1A (Ta)
Email:[email protected]

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