FDD5810
FDD5810
Modello di prodotti:
FDD5810
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17500 Pieces
Scheda dati:
FDD5810.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252AA
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:22 mOhm @ 32A, 10V
Dissipazione di potenza (max):72W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:FDD5810TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDD5810
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1890pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 7.4A (Ta), 37A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.4A (Ta), 37A (Tc)
Email:[email protected]

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