FDD6030L
FDD6030L
Modello di prodotti:
FDD6030L
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19615 Pieces
Scheda dati:
FDD6030L.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-PAK (TO-252AA)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:14.5 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.2W (Ta), 56W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:FDD6030LDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:FDD6030L
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1230pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 12A (Ta), 50A (Tc) 3.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

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