FDMB3800N
FDMB3800N
Modello di prodotti:
FDMB3800N
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16887 Pieces
Scheda dati:
FDMB3800N.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:40 mOhm @ 4.8A, 10V
Potenza - Max:750mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
Altri nomi:FDMB3800NTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:FDMB3800N
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:465pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5.6nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.8A 750mW Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.8A
Email:[email protected]

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