FDP2570
Modello di prodotti:
FDP2570
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 22A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17130 Pieces
Scheda dati:
1.FDP2570.pdf2.FDP2570.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:80 mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di potenza (max):93W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDP2570
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1911pF @ 75V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 150V 22A (Ta) 93W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):150V
Descrizione:MOSFET N-CH 150V 22A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Ta)
Email:[email protected]

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