FDPF18N20FT_G
FDPF18N20FT_G
Modello di prodotti:
FDPF18N20FT_G
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N CH 200V 18A TO220F
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16366 Pieces
Scheda dati:
FDPF18N20FT_G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220F-3
Serie:UniFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:140 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):35W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FDPF18N20FT_G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1180pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 18A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N CH 200V 18A TO220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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