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FDS6890A
- Modello di prodotti:
- FDS6890A
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12545 Pieces
- Scheda dati:
- FDS6890A.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 900mW |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | FDS6890ADKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FDS6890A |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2130pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.5A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per FDS6890A
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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APTM60H23FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 | Inchiesta |
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HUFA76407DK8T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC | Inchiesta |
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FDS6875 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC | Inchiesta |
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