FDU3580
FDU3580
Modello di prodotti:
FDU3580
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 7.7A I-PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16835 Pieces
Scheda dati:
FDU3580.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:IPAK (TO-251)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:29 mOhm @ 7.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 42W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDU3580
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1760pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:79nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 80V 7.7A (Ta) 3.8W (Ta), 42W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET N-CH 80V 7.7A I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.7A (Ta)
Email:[email protected]

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