FDW258P
Modello di prodotti:
FDW258P
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 9A 8-TSSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15188 Pieces
Scheda dati:
FDW258P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-TSSOP
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:11 mOhm @ 9A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.3W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDW258P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5049pF @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:73nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 12V 9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione:MOSFET P-CH 12V 9A 8-TSSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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