FDZ3N513ZT
FDZ3N513ZT
Modello di prodotti:
FDZ3N513ZT
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V WLCSP 2X2
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15815 Pieces
Scheda dati:
FDZ3N513ZT.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):+5.5V, -0.3V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:4-WLCSP (1x1)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:462 mOhm @ 300mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:4-UFBGA, WLCSP
Altri nomi:FDZ3N513ZTTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FDZ3N513ZT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:85pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Schottky Diode (Body)
Descrizione espansione:N-Channel 30V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (1x1)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):3.2V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V WLCSP 2X2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.1A (Ta)
Email:[email protected]

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