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FJN3306RBU
- Modello di prodotti:
- FJN3306RBU
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16794 Pieces
- Scheda dati:
- FJN3306RBU.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm): | 47k |
| Resistenza - Base (R1) (ohm): | 10k |
| Potenza - Max: | 300mW |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FJN3306RBU |
| Frequenza - transizione: | 250MHz |
| Descrizione espansione: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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