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FMN-3306S
Modello di prodotti:
FMN-3306S
fabbricante:
Sanken Electric Co., Ltd.
Descrizione:
DIODE GEN PURP 600V 30A TO3PF
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17325 Pieces
Scheda dati:
1.FMN-3306S.pdf2.FMN-3306S.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.3V @ 30A
Tensione - inversa (Vr) (max):600V
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3PF
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):150ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-3PF
Altri nomi:FMN-3306S DK
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-40°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:FMN-3306S
Descrizione espansione:Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-3PF
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 600V 30A TO3PF
Corrente - Dispersione inversa a Vr:200µA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io):30A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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Parti relative per FMN-3306S

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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VS-16FL40S02 Image VS-16FL40S02 Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE GEN PURP 400V 16A DO203AA Inchiesta
JAN1N5415US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL Inchiesta
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VS-19TQ015SPBF Image VS-19TQ015SPBF Vishay Semiconductor Diodes Division DIODE SCHOTTKY 15V 19A D2PAK Inchiesta
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RD1006LS-SB5 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 10A TO220FI Inchiesta
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