FQA7N80C
FQA7N80C
Modello di prodotti:
FQA7N80C
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18599 Pieces
Scheda dati:
FQA7N80C.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3P
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):198W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FQA7N80C
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1680pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 7A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3P
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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