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FQB4P25TM
- Modello di prodotti:
- FQB4P25TM
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19068 Pieces
- Scheda dati:
- FQB4P25TM.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQB4P25TM, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQB4P25TM via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.1 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.13W (Ta), 75W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQB4P25TM |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 420pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 250V 4A (Tc) 3.13W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 250V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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