FQB5N20LTM
FQB5N20LTM
Modello di prodotti:
FQB5N20LTM
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16312 Pieces
Scheda dati:
FQB5N20LTM.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.13W (Ta), 52W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FQB5N20LTM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:325pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.2nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 4.5A (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

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