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FQI10N60CTU
- Modello di prodotti:
- FQI10N60CTU
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18531 Pieces
- Scheda dati:
- FQI10N60CTU.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAK |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 730 mOhm @ 4.75A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.13W (Ta), 156W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQI10N60CTU |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2040pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 57nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 9.5A (Tc) 3.13W (Ta), 156W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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