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FQI7N80TU
- Modello di prodotti:
- FQI7N80TU
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14614 Pieces
- Scheda dati:
- FQI7N80TU.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQI7N80TU, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQI7N80TU via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAK (TO-262) |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 3.3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.13W (Ta), 167W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FQI7N80TU |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1850pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 52nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 6.6A (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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