FQP2N90
Modello di prodotti:
FQP2N90
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19005 Pieces
Scheda dati:
1.FQP2N90.pdf2.FQP2N90.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:7.2 Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):85W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:FQP2N90-ND
FQP2N90FS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:FQP2N90
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 900V 2.2A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):900V
Descrizione:MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.2A (Tc)
Email:[email protected]

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