FQP90N10V2
Modello di prodotti:
FQP90N10V2
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 90A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17973 Pieces
Scheda dati:
1.FQP90N10V2.pdf2.FQP90N10V2.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 45A, 10V
Dissipazione di potenza (max):250W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FQP90N10V2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6150pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:191nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 90A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 90A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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