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FQPF10N60CT
- Modello di prodotti:
- FQPF10N60CT
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15275 Pieces
- Scheda dati:
- FQPF10N60CT.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQPF10N60CT, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQPF10N60CT via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220F |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 730 mOhm @ 4.75A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 50W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQPF10N60CT |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2040pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 57nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 9.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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