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FQT3P20TF_SB82100
- Modello di prodotti:
- FQT3P20TF_SB82100
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16334 Pieces
- Scheda dati:
- 1.FQT3P20TF_SB82100.pdf2.FQT3P20TF_SB82100.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-223-4 |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.7 Ohm @ 335mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi: | FQT3P20TF_SB82100DKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQT3P20TF_SB82100 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 8nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 200V 670mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 670mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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