FQU3N50CTU
FQU3N50CTU
Modello di prodotti:
FQU3N50CTU
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
20420 Pieces
Scheda dati:
FQU3N50CTU.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:I-Pak
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):35W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FQU3N50CTU
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:365pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 2.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole I-Pak
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

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