FW812-TL-E
Modello di prodotti:
FW812-TL-E
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 35V 10A 8SOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19495 Pieces
Scheda dati:
FW812-TL-E.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.6V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:17 mOhm @ 10A, 10V
Potenza - Max:2.5W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:FW812-TL-E
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:960pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 35V 10A 2.5W Surface Mount 8-SOP
Tensione drain-source (Vdss):35V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 35V 10A 8SOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A
Email:[email protected]

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