GKI06109
GKI06109
Modello di prodotti:
GKI06109
fabbricante:
Sanken Electric Co., Ltd.
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16959 Pieces
Scheda dati:
GKI06109.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 650µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-DFN (5x6)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:8.9 mOhm @ 23.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 59W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:GKI06109 DK
GKI06109TR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:GKI06109
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2520pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:38.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 9A (Ta) 3.1W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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