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GP1M005A050FH
- Modello di prodotti:
- GP1M005A050FH
- fabbricante:
- Global Power Technologies Group
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19532 Pieces
- Scheda dati:
- GP1M005A050FH.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220F |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.65 Ohm @ 2.25A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 32W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | GP1M005A050FH |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 627pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 500V 4.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per GP1M005A050FH
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
GP1M005A050CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK | Inchiesta |
 |
GP1M005A050HS | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4A TO220 | Inchiesta |
 |
GP1M005A050PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK | Inchiesta |
|
GP1M005A040CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK | Inchiesta |
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GP1M005A040PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK | Inchiesta |
 |
GP1M005A050FSH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4A TO220F | Inchiesta |
|
GP1M005A050H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220 | Inchiesta |
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