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GP2M002A065HG
- Modello di prodotti:
- GP2M002A065HG
- fabbricante:
- Global Power Technologies Group
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16874 Pieces
- Scheda dati:
- GP2M002A065HG.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.6 Ohm @ 900mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 52W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | GP2M002A065HG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 353pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 1.8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per GP2M002A065HG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
GP2M002A065CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK | Inchiesta |
 |
GP2M002A060FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A TO220F | Inchiesta |
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GP2M002A065PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK | Inchiesta |
 |
GP2M002A060HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A TO220 | Inchiesta |
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GP2M002A060CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | Inchiesta |
|
GP2M002A065FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F | Inchiesta |
|
GP2M002A060PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A | Inchiesta |
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