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GP2M004A060CG
- Modello di prodotti:
- GP2M004A060CG
- fabbricante:
- Global Power Technologies Group
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13069 Pieces
- Scheda dati:
- GP2M004A060CG.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D-Pak |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 86.2W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | GP2M004A060CG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 545pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 4A (Tc) 86.2W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per GP2M004A060CG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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GP2M004A060PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A IPAK | Inchiesta |
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GP2M004A065PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 4A IPAK | Inchiesta |
 |
GP2M004A060FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A TO220F | Inchiesta |
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GP2M004A065FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 4A TO220F | Inchiesta |
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GP2M004A065CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 4A DPAK | Inchiesta |
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GP2M004A060HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A TO220 | Inchiesta |
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GP2M004A065HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 4A TO220 | Inchiesta |
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